Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KST812M7Основные параметры биполярного транзистора KST812M7
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SAMSUNG
- Корпус: TO236
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 094 526