| Ваш IP: 3.145.78.117 | Online(54) - гости: 6, боты: 48 | Загрузка сервера: 0.66 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KST5086
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора KST5086

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
  • Производитель: SAMSUNG
  • Корпус: TO236
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 094 297