Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSD2012-YОсновные параметры биполярного транзистора KSD2012-Y
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SAMSUNG
- Корпус: TO220
- Найти datasheet
|
| |
Просмотров: 3 095 151