| Ваш IP: 3.145.78.117 | Online(98) - гости: 14, боты: 84 | Загрузка сервера: 0.55 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSD1616-L
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора KSD1616-L

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 19 pF
  • Производитель: SAMSUNG
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 094 873