Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSC1008-GОсновные параметры биполярного транзистора KSC1008-G
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 700mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
- Производитель: SAMSUNG
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 095 495