| Ваш IP: 3.144.46.90 | Online(106) - гости: 16, боты: 90 | Загрузка сервера: 0.26 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSB795-R
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора KSB795-R

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 3000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SAMSUNG
  • Корпус: TO126
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 095 796