| Ваш IP: 3.128.171.192 | Online(102) - гости: 15, боты: 87 | Загрузка сервера: 0.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSB596
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора KSB596

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 240
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SAMSUNG
  • Корпус: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA1355 Sipnp30W70V--4A40MHz70 ... 240TO220
BDV18 Sipnp36W80V--4A3MHz750 (min) TO220
Просмотров: 3 095 752