Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KSB1116A-YОсновные параметры биполярного транзистора KSB1116A-Y
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 135 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
- Производитель: SAMSUNG
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 096 310