| Ваш IP: 3.137.178.122 | Online(80) - гости: 17, боты: 63 | Загрузка сервера: 0.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора IR645
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора IR645

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 175W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 500 (min)
  • Производитель: ITT
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 097 568