| Ваш IP: 18.188.219.131 | Online(43) - гости: 8, боты: 35 | Загрузка сервера: 0.25 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HSE640
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора HSE640

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N1425 Gepnp80mW24V--10mA15MHz50TO7
2N1426 Gepnp80mW24V--10mA15MHz130TO7
2N2083 Gepnp80mW30V--10mA30MHz25 (min) TO7
2SA380 Gepnp80mW25V--10mA25MHz70TO1
2SA381 Gepnp80mW25V--10mA15MHz50TO1
2SA382 Gepnp80mW25V--10mA12MHz55TO1
2SA383 Gepnp80mW25V--10mA10MHz40TO1
2SA384 Gepnp80mW25V--10mA18MHz60TO1
2SA83 Gepnp80mW25V--10mA15MHz80TO44-2
2SA84 Gepnp80mW25V--10mA17MHz80TO44-2
2SA87 Gepnp80mW30V--10mA40MHz50 (min) TO44-2
2SA88 Gepnp80mW30V--10mA40MHz30 (min) TO44-2
2SA89 Gepnp80mW30V--10mA30MHz40 (min) TO44-2
AF168 Gepnp80mW30V--10mA40MHz25 (min) TO44
AF169 Gepnp80mW24V--10mA30MHz25 (min) TO44
AF171 Gepnp80mW24V--10mA30MHz100 (min) TO44
HSE373 Gepnp80mW25V####10mA30MHz20 (min) TO5
Просмотров: 3 073 673