| Ваш IP: 3.147.47.177 | Online(119) - гости: 17, боты: 102 | Загрузка сервера: 4.09 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HNT1T018
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HNT1T018

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO18
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 098 262