| Ваш IP: 18.117.75.225 | Online(116) - гости: 90, боты: 26 | Загрузка сервера: 3.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPS9100
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPS9100

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC2952 Sinpn600mW30V--250mA1.2GHz50TO72
2SC4308 Sinpn600mW30V--300mA2.5GHz30 ... 120U29-3
Просмотров: 2 519 253