| Ваш IP: 3.144.9.190 | Online(116) - гости: 99, боты: 17 | Загрузка сервера: 1.2 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPS5020
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPS5020

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD1524 Sinpn100W450V--10A-300TOP3
KUV42 Sinpn120W350V##-12A-N/A
Просмотров: 2 531 617