Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPS0010Основные параметры биполярного транзистора HEPS0010
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
- Производитель: CDIL
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3827 |
Si | npn | 280mW | 30V | - | - | 20mA | 1.3GHz | 60 | TO236 | | BFP521 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | ## | 20mA | 150MHz | 20 ... 200 | TO18 | | BFP521I |
Si | npn | 300mW | 30V | - | ## | 20mA | 150MHz | 40 ... 200 | TO18 | | BFP621 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | ## | 20mA | 150MHz | 20 ... 500 | TO92 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 531 557