| Ваш IP: 18.117.71.227 | Online(92) - гости: 76, боты: 16 | Загрузка сервера: 0.58 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPS0009
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPS0009

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC3368 Sinpn500mW36V--100mA2.5GHz60 (min) TO131
2SC3414 Sinpn400mW40V--100mA200MHz10 (min) X73
2SC3811 Sinpn400mW40V--100mA450MHz40 ... 60TO92
2SC4498 Sinpn500mW50V--100mA-200 (min) TO236
Просмотров: 2 531 277