| Ваш IP: 18.116.89.8 | Online(167) - гости: 21, боты: 146 | Загрузка сервера: 4.42 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPS0008
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPS0008

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 310mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 440MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
3N77 Sinpn300mW40V####20mA30MHz20 (min) TO72
3N78 Sinpn300mW40V####20mA30MHz20 (min) TO72
3N79 Sinpn300mW40V####20mA30MHz20 (min) TO72
Просмотров: 3 098 585