| Ваш IP: 18.117.71.227 | Online(91) - гости: 75, боты: 16 | Загрузка сервера: 0.61 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPG0009
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPG0009

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 350mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO18
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1287 Gepnp160mW20V--300mA500KHz40TO33-1
2N1287A Gepnp160mW20V--300mA500KHz60TO33-1
Просмотров: 2 531 282