| Ваш IP: 18.224.56.127 | Online(145) - гости: 19, боты: 125 | Загрузка сервера: 2.52 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPG0003
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPG0003

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO72
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA1143 Sipnp200mW20V--50mA100MHz160TO92
Просмотров: 3 098 291