| Ваш IP: 18.223.195.127 | Online(160) - гости: 29, боты: 131 | Загрузка сервера: 1.47 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPG0002
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPG0002

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 22V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA925 Sipnp100mW20V--100mA500MHz100TO92
2SA925-1 Sipnp100mW20V--100mA500MHz150TO92
2SA925-2 Sipnp100mW20V--100mA500MHz200TO92
40268 Gepnp100mW25V--100mA250MHz35 (min) TO5
GT5117 Gepnp120mW20V####100mA40MHz20 (min) TO9
Просмотров: 3 098 466