| Ваш IP: 18.218.71.21 | Online(162) - гости: 25, боты: 136 | Загрузка сервера: 1.65 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEPG0001
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEPG0001

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2622 Gepnp150mW24V--100mA15MHz15 (min) TO5
2N2623 Gepnp150mW32V--100mA16MHz20 (min) TO5
2N2625 Gepnp150mW24V--100mA15MHz15 (min) TO5
2N2626 Gepnp150mW32V--100mA16MHz20 (min) TO5
2N2628 Gepnp150mW24V--100mA15MHz15 (min) TO5
2N2629 Gepnp150mW32V--100mA16MHz10 (min) TO5
40329 Gepnp125mW25V--100mA-40 (min) TO5
GS122 Gepnp150mW30V--100mA-90 (min) TO39
Просмотров: 3 098 421