| Ваш IP: 3.147.89.50 | Online(173) - гости: 27, боты: 146 | Загрузка сервера: 3.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора HEP637
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора HEP637

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CDIL
  • Корпус: TO72
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N76 Gepnp125mW20V--10mA200KHz30TO7
2SA250 Gepnp180mW20V--10mA20MHz100TO1
2SA441 Gepnp150mW20V--10mA250MHz20 (min) TO5
Просмотров: 3 098 664