| Ваш IP: 18.226.181.65 | Online(149) - гости: 140, боты: 9 | Загрузка сервера: 0.81 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT81HS
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GT81HS

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 275mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120 (min)
  • Производитель: GI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1643 Sipnp250mW25V--50mA350KHz10 ... 25TO5
2N2238 Gepnp300mW30V--50mA400MHz10 (min) TO5
2N509 Gepnp225mW30V--40mA750MHz20 ... 60TO28
C101 Sipnp250mW30V-##50mA400KHz9 (min) TO5
C102 Sipnp250mW30V-##50mA800KHz13 (min) TO5
C112 Sipnp250mW25V####50mA700KHz18 (min) N/A
Просмотров: 2 506 765