Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT5117Основные параметры биполярного транзистора GT5117
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
- Производитель: GI
- Корпус: TO9
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SA925 |
Si | pnp | 100mW | 20V | - | - | 100mA | 500MHz | 100 | TO92 | | 2SA925-1 |
Si | pnp | 100mW | 20V | - | - | 100mA | 500MHz | 150 | TO92 | | 2SA925-2 |
Si | pnp | 100mW | 20V | - | - | 100mA | 500MHz | 200 | TO92 | | 2SB48 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1MHz | 42 | TO5 | | 2SB49 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1.2MHz | 83 | TO5 | | 2SB50 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1.5MHz | 130 | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 093 241