Дата: 4/18/2025 | Время: 6:58:15 PM | Ваш IP: 3.12.151.20 | Online(18) - гости: 8, боты: 10 | Загрузка сервера: 0.79 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT5116
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора GT5116

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  • Производитель: GI
  • Корпус: TO9
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SB48 Gepnp140mW16V--100mA1MHz42TO5
2SB49 Gepnp140mW16V--100mA1.2MHz83TO5
2SB50 Gepnp140mW16V--100mA1.5MHz130TO5
Просмотров: 3 580 208