Дата: 4/27/2025 | Время: 7:45:18 AM
| Ваш IP: 13.58.12.108 | Online(57) - гости: 8, боты: 49 | Загрузка сервера: 1.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT2888
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора GT2888
- Материал: Ge
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 9V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 250 (min)
- Производитель: GI
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус | | GT2884 |
Ge | npn | 150mW | 9V | 6V | 6V | 100mA | ## | 100 (min) | TO5 | | GT2886 |
Ge | npn | 150mW | 9V | 6V | 6V | 100mA | ## | 200 (min) | TO5 | |
|
|
|
Просмотров: 3 678 071