| Ваш IP: 3.145.68.201 | Online(116) - гости: 104, боты: 12 | Загрузка сервера: 0.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT200
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GT200

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 12W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30M (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: GI
  • Корпус: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC4341 Sinpn10W80V--2A-10000TO126
2SD1973 Sinpn10W80V--2A-1000TO126
Просмотров: 2 532 432