Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GS2012Основные параметры биполярного транзистора GS2012
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 240
- Производитель: STE
- Корпус: TO202
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC4167 |
Si | npn | 8W | 35V | - | - | 2A | 520MHz | 40 | U29-3 | | 2SD1379 |
Si | npn | 10W | 40V | - | - | 2A | 150MHz | 4000 | TO126 | | 2SD1380 |
Si | npn | 10W | 40V | - | - | 2A | 100MHz | 60 (min) | TO126 | | 2SD1871 |
Si | npn | 10W | 40V | - | - | 2A | - | 40 (min) | TO218 | | 40282 |
Si | npn | 12W | 36V | - | - | 2A | 175MHz | 45 (min) | TO61 | | BLU10/12 |
Si | npn | 10W | 36V | ## | ## | 2A | 470MHz | 25 (min) | M111 | | HEPS9103 |
Si | npn | 10W | 40V | ## | ## | 2A | 300MHz | 15000 | SIP | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 099 443