| Ваш IP: 3.142.249.238 | Online(78) - гости: 67, боты: 11 | Загрузка сервера: 0.69 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GS112B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GS112B

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 83mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 210mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: STE
  • Корпус: TO39
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
GS111B Gepnp83mW20V--210mA-30 (min) TO39
GS111C Gepnp83mW20V--210mA-60 (min) TO39
GS111D Gepnp83mW20V--210mA-90 (min) TO39
GS111E Gepnp83mW20V--210mA-120 (min) TO39
GS112C Gepnp83mW20V--210mA-60 (min) TO39
GS112D Gepnp83mW20V--210mA-90 (min) NTO39
GS112E Gepnp83mW20V--210mA-120 (min) TO39
Просмотров: 2 506 485