| Ваш IP: 18.227.0.57 | Online(44) - гости: 15, боты: 29 | Загрузка сервера: 1.24 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GS100B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GS100B

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: STE
  • Корпус: TO39
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N79 Gepnp35mW30V--50mA300KHz45TO40
GS100C Gepnp30mW25V--50mA-60 (min) TO39
GS100D Gepnp30mW25V--50mA-90 (min) TO39
HF200 Gepnp30mW30V####50mA320MHz8.5 (min) N/A
Просмотров: 3 074 008