| Ваш IP: 3.141.35.27 | Online(54) - гости: 8, боты: 46 | Загрузка сервера: 0.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GET885
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GET885

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N578 Gepnp120mW20V14V12V400mA2MHz10 (min) TO5
TA1782 Gepnp120mW20V14V12V400mA2MHz10 (min) TO5
Просмотров: 3 099 748