| Ваш IP: 3.147.8.214 | Online(28) - гости: 10, боты: 18 | Загрузка сервера: 0.45 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GET880
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GET880

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2G201 Gepnp140mW16V14V10V100mA2.5MHz25TO1
2G202 Gepnp140mW16V14V10V100mA3MHz40TO1
2N1265 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz25 ... 90TO5
2N1265-5 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz6 ... 18TO5
ASY56N Gepnp100mW16V10V12V100mA2MHz25 (min) TO1
ASY57N Gepnp100mW16V10V12V100mA4MHz30 (min) TO1
ASY58N Gepnp100mW16V10V12V100mA7MHz40 (min) TO1
ASY59N Gepnp100mW16V10V12V100mA12MHz60 (min) TO1
Просмотров: 2 532 546