| Ваш IP: 18.227.52.217 | Online(56) - гости: 38, боты: 18 | Загрузка сервера: 0.61 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GES5812
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GES5812

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 750mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: GENERAL SEMI
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 532 728