Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GES5089Основные параметры биполярного транзистора GES5089
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 310mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 400 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
- Производитель: GENERAL SEMI
- Корпус: TO236
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 100 074