| Ваш IP: 18.216.250.143 | Online(71) - гости: 11, боты: 60 | Загрузка сервера: 0.33 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GES3900A
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GES3900A

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 360mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 250 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: GENERAL SEMI
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2368S Sinpn300mW15V6V4V100mA400MHz30 ... 150TO18
BSX27 Sinpn300mW15V6V4V100mA600MHz25 (min) TO18
MM1748 Sinpn300mW15V6V4V100mA600MHz20 ... 120TO18
Просмотров: 3 100 015