| Ваш IP: 18.223.209.129 | Online(80) - гости: 6, боты: 74 | Загрузка сервера: 0.53 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GE5060
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GE5060

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: GENERAL SEMI
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 100 524