| Ваш IP: 3.146.37.222 | Online(37) - гости: 16, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.68 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GD110
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GD110

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 2W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.3A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TELEFUNKEN
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
OC831 Gepnp2W20V10V10V1A##12 (min) TO3
Просмотров: 3 100 356