| Ваш IP: 13.59.234.182 | Online(42) - гости: 15, боты: 27 | Загрузка сервера: 0.55 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GC503
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GC503

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FAIRCHILD
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
GC504 Gepnp10mW7V--5mA1MHz40 (min) TO1
GC505 Gepnp10mW7V--5mA1MHz60 (min) TO1
GC506 Gepnp10mW7V--5mA1MHz80 (min) TO1
Просмотров: 3 100 381