| Ваш IP: 3.142.245.88 | Online(130) - гости: 106, боты: 23 | Загрузка сервера: 4.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора FP50501
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора FP50501

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 440 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  • Производитель: Fine Product*
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1142 Gepnp300mW30V--100mA300MHz10 (min) TO5
2N1142A Gepnp300mW30V--100mA200MHz15 (min) TO5
2N1143 Gepnp300mW30V--100mA200MHz10 (min) TO5
2N1143A Gepnp300mW30V--100mA200MHz15 (min) TO5
2N85 Gepnp200mW30V--100mA400KHz40 (min) R78
2SA1309 Sipnp300mW35V--100mA80MHz120SOT33
Просмотров: 2 534 608