Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора FP50501Основные параметры биполярного транзистора FP50501
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 440 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
- Производитель: Fine Product*
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1142 |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 100mA | 300MHz | 10 (min) | TO5 | | 2N1142A |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 100mA | 200MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N1143 |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 100mA | 200MHz | 10 (min) | TO5 | | 2N1143A |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 100mA | 200MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N85 |
Ge | pnp | 200mW | 30V | - | - | 100mA | 400KHz | 40 (min) | R78 | | 2SA1309 |
Si | pnp | 300mW | 35V | - | - | 100mA | 80MHz | 120 | SOT33 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 101 603