| Ваш IP: 18.224.54.61 | Online(96) - гости: 6, боты: 90 | Загрузка сервера: 0.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора ESM2012DV
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора ESM2012DV

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 175W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 120A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: STE
  • Корпус: ISOTOP
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 102 921