| Ваш IP: 3.145.57.200 | Online(43) - гости: 27, боты: 16 | Загрузка сервера: 1.22 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора DTN9000T
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора DTN9000T

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 830mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 450V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  • Производитель: ROHM
  • Корпус: TO237
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 536 986