Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора DTD113ESОсновные параметры биполярного транзистора DTD113ES
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 33 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ROHM
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1473 |
Ge | npn | 250mW | 40V | - | - | 400mA | 4MHz | 25 (min) | TO5 | | 2N2314 |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 40MHz | 20 ... 60 | TO46 | | 2N2315 |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | | 2SC3983 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 450mA | 180MHz | 30 ... 300 | X104 | | 2SC3984 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 450mA | 180MHz | 30 ... 120 | TO92 | | 2SC4173 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 500mA | - | 70 ... 240 | TO236 | | 2SD1423A |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | - | 40 (min) | SOT33 | | DTD114ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 56 (min) | TO92 | | DTD123ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 39 (min) | TO92 | | DTD143ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 47 (min) | TO92 | | RT696M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 40MHz | 20 ... 60 | TO46 | | RT697M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | | RT717M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 40MHz | 20 ... 60 | TO46 | | RT718M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 509 332