| Ваш IP: 13.59.95.170 | Online(102) - гости: 14, боты: 88 | Загрузка сервера: 1.67 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора CT5650
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора CT5650

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 2000W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 6 (min)
  • Производитель: SPRAGUE
  • Корпус: DISK55
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
CT5651 Sinpn2000W######150A##5.5 (min) DISK55
CT5652 Sinpn2000W######150A##5 (min) DISK55
Просмотров: 3 106 821