| Ваш IP: 3.135.202.38 | Online(98) - гости: 5, боты: 93 | Загрузка сервера: 1.55 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора CJD112
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора CJD112

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: CENTRAL
  • Корпус: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD1281 Sinpn20W100V--2A-40 (min) TO220
2SD1282 Sinpn20W100V--2A-60 (min) TO220
2SD1283 Sinpn20W120V--2A-40 (min) TO220
2SD1284 Sinpn20W120V--2A-60 (min) TO220
2SD1765 Sinpn20W100V--2A-2500TO220
Просмотров: 3 108 018