| Ваш IP: 18.223.213.76 | Online(101) - гости: 11, боты: 90 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора CB1F4
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора CB1F4

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 34W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 28V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 28V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3.5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 95°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HON
  • Корпус: MT36
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1755 Gepnp28W40V30V30V3A150KHz30 ... 75MS7
2N3154 Gepnp38W40V25V30V3A150KHz60 ... 180MS7
2N3158 Gepnp38W40V25V30V3A150KHz30 ... 75MS7
CTP1728 Gepnp28W40V30V30V3A150KHz30 ... 75MS7
Просмотров: 3 108 506