Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора C112Основные параметры биполярного транзистора C112
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 18 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
- Производитель: TELEDYNE
- Корпус: N/A
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1643 |
Si | pnp | 250mW | 25V | - | - | 50mA | 350KHz | 10 ... 25 | TO5 | | 2N2238 |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 400MHz | 10 (min) | TO5 | | 2N260A |
Si | pnp | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 800KHz | 16 | R14 | | 2N262A |
Si | pnp | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 2MHz | 20 | R14 | | 2N509 |
Ge | pnp | 225mW | 30V | - | - | 40mA | 750MHz | 20 ... 60 | TO28 | | 2SA1143 |
Si | pnp | 200mW | 20V | - | - | 50mA | 100MHz | 160 | TO92 | | C101 |
Si | pnp | 250mW | 30V | - | ## | 50mA | 400KHz | 9 (min) | TO5 | | C102 |
Si | pnp | 250mW | 30V | - | ## | 50mA | 800KHz | 13 (min) | TO5 | | GT81HS |
Ge | pnp | 275mW | 25V | ## | ## | 50mA | ## | 120 (min) | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 073 637