| Ваш IP: 18.116.52.43 | Online(89) - гости: 6, боты: 83 | Загрузка сервера: 11.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N3282
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N3282

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pF
  • Производитель: MOTOROLA
  • Корпус: TO72
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2613 Gepnp120mW30V--50mA4MHz120 (min) TO1
2N3283 Gepnp100mW25V--50mA250MHz10 (min) TO72
2N3284 Gepnp100mW25V--50mA250MHz10 (min) TO72
GFT22/30 Gepnp80mW30V####50mA1.3MHz150 (min) TO30
GFT25/30 Gepnp80mW30V####50mA850KHz50 (min) TO5
Просмотров: 3 077 058