Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора BFG65TОсновные параметры биполярного транзистора BFG65T
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5GHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: PHILIPS
- Корпус: TO131
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC326 |
Si | npn | 250mW | 20V | - | - | 50mA | 500MHz | 50 (min) | TO72 | | 2SC3838 |
Si | npn | 280mW | 20V | - | - | 50mA | 3.2GHz | 40 (min) | TO236 | | BFQ72 |
Si | npn | 290mW | 20V | - | - | 50mA | 5.1GHz | 25 (min) | TO51 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 114 905