| Ваш IP: 3.143.5.161 | Online(85) - гости: 13, боты: 72 | Загрузка сервера: 0.22 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора BDT65C
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора BDT65C

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SC2987 Sinpn120W140V--12A30MHz120X104
2SC3012 Sinpn100W130V--10A40MHz25X104
HEPS9148 Sinpn150W100V####12A##750 (min) TO3
Просмотров: 3 117 289