Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора BDT65BОсновные параметры биполярного транзистора BDT65B
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: PHILIPS
- Корпус: TO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SD1125 |
Si | npn | 100W | 80V | - | - | 12A | - | 1000 | TO220 | | 2SD1243A |
Si | npn | 100W | 80V | - | - | 10A | - | 40 (min) | TO247 | | HEPS9146 |
Si | npn | 150W | 80V | ## | ## | 12A | ## | 750 (min) | TO3 | | HEPS9148 |
Si | npn | 150W | 100V | ## | ## | 12A | ## | 750 (min) | TO3 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 117 133