| Ваш IP: 3.141.47.170 | Online(44) - гости: 36, боты: 8 | Загрузка сервера: 0.18 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора BDT65A
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора BDT65A

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD1125 Sinpn100W80V--12A-1000TO220
2SD1243A Sinpn100W80V--10A-40 (min) TO247
40675 Sinpn100W65V--10A-80 (min) TO3
HEPS9146 Sinpn150W80V####12A##750 (min) TO3
Просмотров: 2 551 384